【M.2 SSD 擴充卡實測】ASUS Hyper M.2 x16 Gen5:效能提升還是變差

250126_00_m2 ssd expansion card review- ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 cover 800 x 400

在選擇 PCIe Gen 5 M.2 SSD 擴充卡時,強烈建議優先考慮具備【主動式散熱】設計的產品,以避免因 SSD 在運作時溫度過高而導致降速,影響讀寫效能表現。本文透過實測 ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 擴充卡,明顯看到【主動式散熱】與【被動式散熱】在效能上的顯著差異。

這篇文章使用 Iometer 測速軟體,針對四款 PCIe Gen5 NVMe SSD,在不同佇列深度(QD, Queue Depth)的讀寫效能進行測試,可觀察到循序讀寫 (Sequential Read/Write) 與隨機讀寫 (Random Read/Write) 的數據結果,作為是否入手的考量。

M.2 SSD 擴充卡測試平台與方法

將測試分成兩個方式,然後比較在相同條件下,【主動式散熱】與【被動式散熱】的效能差異:

測試方式 1、

將 4 隻 PCIe Gen 5 M.2 SSD 先裝在 ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 擴充卡(主動式散熱),然後將 M.2 SSD 擴充卡插入主機板 PCIe Gen5 x16 插槽進行測試。

250126_09_ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 box
ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 擴充卡

測試方式 2、

將 4 隻 PCIe Gen 5 M.2 SSD 裝上 Supermicro 附贈的散熱器(被動式散熱),然後插入主機板 M.2 插槽進行測試。

 ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 擴充卡:官網
 Micron Crucial T705:官網評測文章
 Seagate FireCuda 540:官網評測文章
 T-FORCE Z540:官網評測文章
 Micron Crucial T700:官網評測文章

註1:4 款 PCIe Gen5 SSD 均內建【DRAM cache】 – DRAM cache 運作原理

測試平台

Supermicro SYS-551A-T 工作站提供 4 個 PCIe Gen 5 M.2 插槽。

品名型號/規格
工作站系統SuperWorkstation SYS-551A-T
CPUIntel Xeon W5-3425
主機板Supermicro X13SWA-TF
記憶體32GB DDR5-4800 ECC RDIMM *2
作業系統Windows 11 專業版
主動式散熱風扇 + 散熱器
被動式散熱僅安裝散熱器
Intel 測試平台

測試方法

軟體設定詳細內容
SSD 格式化NTFS 檔案系統
叢集大小預設值 – 4KB
Iometer 循序讀寫資料大小128KiB
Iometer 隨機讀寫資料大小4KiB
佇列深度(QD, Queue Depth)1 – 64
Worker(也就是 Thread)*註21
測試時間300 秒
【讀取:寫入】比例【100%:0%】
【0%:100%】
測試軟體設定

註2:Iometer Worker 的數量取決於系統上的 CPU 個數,通常每個 Worker 只分配給一個磁碟執行;也就是一個 Worker(Thread, 執行緒)只會針對一個磁碟進行讀寫測試。【Iometer 操作說明】可以參考 – Iometer軟體介紹

Micron Crucial T705 測試數據

測試方式 1 的結果,用【實線】表示,即使用 M.2 SSD 擴充卡的測試結果(主動式散熱)
測試方式 2 的結果,用【虛線】表示,即安裝散熱器的測試結果(被動式散熱)

循序讀寫(Sequential Read / Write)

使用資料大小(128KiB)、單一執行緒 (Thread=1)與不同佇列深度 (QD, Queue Depth),在 300 秒的壓力測試下,得到測試結果。

類別主動式散熱被動式散熱
循序讀取
(100% Read)
12,348.7 MB/s
(QD=64, Thread=1)
11102.9 MB/s
(QD=64, Thread=1)
循序寫入
(100% Write)
2020.1 MB/s
(QD=64, Thread=1)
981.8 MB/s
(QD=1, Thread=1)
Micron Crucial T705 主動式散熱 vs 被動式散熱循序讀寫最大值比較表
250126_05_M.2 SSD 擴充卡- Micron Crucial T705 Sequential Read Write performance
Micron Crucial T705 主動式散熱 vs 被動式散熱循序讀寫效能圖

Iometer 循序讀寫測試結論:

1. 循序讀取 –
1-1: 不論哪種散熱方式,QD=16 的效能有明顯下降的現象
1-2: 以最大效能的觀點來看,【主動式散熱】效能優於【被動式散熱】
2. 循序寫入 – 【主動式散熱】效能明顯優於【被動式散熱】

隨機讀寫(Random Read/Write)

SSD 的 IOPS( Input/Output Operations Per Second ) 表示每秒讀取和寫入資料的速度。

執行緒數量增加,CPU 的負擔越吃重,軟體程式也更難開發維護,相對的效能也會比較好。所以,適合程式開發、網站伺服器或資料庫等用途的族群。

至於一般電腦使用者所使用的軟體,還是以單執行緒為主。

類別主動式散熱被動式散熱
隨機讀取
(100% Read)
273,380.2 IOPS
(QD=64, Thread=1)
114716.4 IOPS
(QD=64, Thread=1)
隨機寫入
(100% Write)
38774.0 IOPS
(QD=2, Thread=1)
66,409.0 IOPS
(QD=1, Thread=1)
Micron Crucial T705 主動式散熱 vs 被動式散熱隨機讀寫最大值比較表
250126 06 M.2 SSD 擴充卡 Micron Crucial T705 Random Read Write performance
Micron Crucial T705 主動式散熱 vs 被動式散熱隨機讀寫效能圖

Iometer 隨機讀寫測試結論:

1. 隨機讀取 – 【主動式散熱】效能明顯優於【被動式散熱】
2. 隨機寫入 – QD <= 2 時,【被動式散熱】效能稍好;剩餘部分兩者效能無明顯差異

Seagate FireCuda 540 測試數據

測試方式 1 的結果,用【實線】表示,即使用 M.2 SSD 擴充卡的測試結果(主動式散熱)
測試方式 2 的結果,用【虛線】表示,即安裝散熱器的測試結果(被動式散熱)

循序讀寫(Sequential Read / Write)

類別主動式散熱被動式散熱
循序讀取
(100% Read)
8,055.5 MB/s
(QD=64, Thread=1)
7,293.7 MB/s
(QD=32, Thread=1)
循序寫入
(100% Write)
1,758.5 MB/s
(QD=32, Thread=1)
1,758.7 MB/s
(QD=64, Thread=1)
Seagate FireCuda 540 主動式散熱 vs 被動式散熱循序讀寫最大值比較表
250126_01_M.2 SSD 擴充卡- Seagate FireCuda 540 Sequential Read Write performance
Seagate FireCuda 540 主動式散熱 vs 被動式散熱循序讀寫效能圖

Iometer 循序讀寫測試結論:

1. 循序讀取 – 【主動式散熱】效能普遍都優於【被動式散熱】
2. 循序寫入 – 兩種散熱方式的效能無明顯差異

隨機讀寫(Random Read/Write)

類別主動式散熱被動式散熱
隨機讀取
(100% Read)
270,956.9 IOPS
(QD=64, Thread=1)
282,429.9 IOPS
(QD=64, Thread=1)
隨機寫入
(100% Write)
47,790.3 IOPS
(QD=2, Thread=1)
43,411.3 IOPS
(QD=1, Thread=1)
Seagate FireCuda 540 主動式散熱 vs 被動式散熱隨機讀寫最大值比較表
250126_02_M.2 SSD 擴充卡- Seagate FireCuda 540 Random Read Write performance
Seagate FireCuda 540 主動式散熱 vs 被動式散熱隨機讀寫效能圖

Iometer 隨機讀寫測試結論:

1. 隨機讀取 – 整體而言,【主動式散熱】效能優於【被動式散熱】
2. 隨機寫入 – 兩種散熱方式的效能無明顯差異

T-FORCE Z540 測試數據

測試方式 1 的結果,用【實線】表示,即使用 M.2 SSD 擴充卡的測試結果(主動式散熱)
測試方式 2 的結果,用【虛線】表示,即安裝散熱器的測試結果(被動式散熱)

循序讀寫(Sequential Read / Write)

類別主動式散熱被動式散熱
循序讀取
(100% Read)
10,333.1 MB/s
(QD=64, Thread=1)
7,133.1 MB/s
(QD=64, Thread=1)
循序寫入
(100% Write)
2,249.7 MB/s
(QD=32, Thread=1)
2,248.2 MB/s
(QD=16, Thread=1)
T-FORCE Z540 主動式散熱 vs 被動式散熱循序讀寫最大值比較表
250126_07_M.2 SSD 擴充卡- T-FORCE Z540 Sequential Read Write performance
T-FORCE Z540 主動式散熱 vs 被動式散熱循序讀寫效能圖

Iometer 循序讀寫測試結論:

1. 循序讀取 – 高負載情況下( QD > 2 ),【主動式散熱】效能普遍都優於【被動式散熱】
2. 循序寫入 – 兩種散熱方式的效能無明顯差異

隨機讀寫(Random Read/Write)

類別主動式散熱被動式散熱
隨機讀取
(100% Read)
274,065.9 IOPS
(QD=64, Thread=1)
279,835.964 IOPS
(QD=64, Thread=1)
隨機寫入
(100% Write)
53,758.0 IOPS
(QD=2, Thread=1)
67,413.3 IOPS
(QD=1, Thread=1)
T-FORCE Z540 主動式散熱 vs 被動式散熱隨機讀寫最大值比較表
250126_08_M.2 SSD 擴充卡- T-FORCE Z540 Random Read Write performance
T-FORCE Z540 主動式散熱 vs 被動式散熱隨機讀寫效能圖

Iometer 隨機讀寫測試結論:

1. 隨機讀取 – 高負載情況下( QD > 1 ),【主動式散熱】效能普遍都優於【被動式散熱】
2. 隨機寫入 – 兩種散熱方式的效能無明顯差異

Micron Crucial T700 測試數據

測試方式 1 的結果,用【實線】表示,即使用 M.2 SSD 擴充卡的測試結果(主動式散熱)
測試方式 2 的結果,用【虛線】表示,即安裝散熱器的測試結果(被動式散熱)

循序讀寫(Sequential Read / Write)

類別主動式散熱被動式散熱
循序讀取
(100% Read)
MB/s
(QD=64, Thread=1)
MB/s
(QD=64, Thread=1)
循序寫入
(100% Write)
MB/s
(QD=64, Thread=1)
MB/s
(QD=1, Thread=1)
Micron Crucial T700 主動式散熱 vs 被動式散熱循序讀寫最大值比較表
250126_03_M.2 SSD 擴充卡- Micron Crucial T700 Sequential Read Write performance
Micron Crucial T700 主動式散熱 vs 被動式散熱循序讀寫效能圖

Iometer 循序讀寫測試結論:

1. 循序讀取 – 高負載情況下( QD > 2 ),【主動式散熱】效能普遍都優於【被動式散熱】
2. 循序寫入 – 兩種散熱方式的效能無明顯差異

隨機讀寫(Random Read/Write)

類別主動式散熱被動式散熱
隨機讀取
(100% Read)
IOPS
(QD=64, Thread=1)
IOPS
(QD=64, Thread=1)
隨機寫入
(100% Write)
IOPS
(QD=64, Thread=1)
IOPS
(QD=1, Thread=1)
Micron Crucial T700 主動式散熱 vs 被動式散熱隨機讀寫最大值比較表
250126_04_M.2 SSD 擴充卡- Micron Crucial T700 Random Read Write performance
Micron Crucial T700 主動式散熱 vs 被動式散熱隨機讀寫效能圖

Iometer 隨機讀寫測試結論:

1. 隨機讀取 – 【主動式散熱】效能普遍都優於【被動式散熱】
2. 隨機寫入 – 兩種散熱方式的效能無明顯差異

ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 M.2 SSD 擴充卡介紹

將 ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 M.2 SSD 擴充卡的散熱片拆掉後,可以看到:
PCIe 5.0 x16 金手指
4 組 M.2 插槽,相容 2242 / 2260 / 2280 / 22110 的尺寸規格
主動式風扇
PCIe 6-pin 外接電源插座
主動式風扇供電插座

250126_12_ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 connectors
ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 擴充卡外觀

ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 擴充卡正面照

250126_10_ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 top view
ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 擴充卡正面照

ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 擴充卡背面照

250126 11 ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 bottom view
ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 擴充卡背面照

M.2 SSD LED 指示燈與風扇開關

250126_13_ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 LED and FAN
LED 指示燈與風扇開關

主動式風扇供電插座

250126_14_ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 chassis FAN header
風扇供電插座

M.2 SSD 擴充卡常見問題

Q1:PCIe Gen 5 SSD 需要裝散熱器嗎?

A1:不論是長時間高負載使用或一般日常使用,都強烈建議安裝主動式散熱器。可以避免高溫導致降速 (Thermal Throttling)。若要發揮 PCIe Gen 5 SSD 的極致性能,搭配主動式散熱器是必要的!

Q2:如何解讀 Iometer 測試數據?

A2:官方循序讀寫隨機讀寫的數據都是以【100% Read】或【100% Write】的前提進行測試。所以,這些數據能代表控制晶片韌體NAND flash 可提供的極限讀寫結果。
在這種高負載的情境下,更容易看到 SSD 的性能瓶頸,所以,能反映 SSD 的穩態性能(Sustained Performance)而非峰值性能,較貼近實際應用結果。

Q3:ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 M.2 SSD 擴充卡有安裝限制嗎?

A3:有限制!
因為擴充卡尺寸是 29 (L) * 12.2 (W) * 1.5 (H) cm,所以機箱內部的空間要大於擴充卡尺寸才能安裝。

Q4:M.2 SSD 擴充卡通道拆分限制

A4:通道拆分限制是由主機板和 CPU 決定,並非由 M.2 SSD 擴充卡決定。
4-1:若要使用四個 PCIe Gen5 x4 NVMe SSDs,通常 AMD 平台都能在 BIOS 更改設定,將 1×16 改成 4×4 來使用。例如:AMD X399, B450, X470, B550, X570, A620, B650, X670, X870, WRX80, TRX50, WRX90 等晶片組,都能支援 4×4 的應用。
4-2:然而 Intel 晶片組,消費型主機板大都只能將 1×16 更改成 2×8,例如:Z790, H770, W680, Z690, Z590, W480, Z490
4-3:Intel 工作站主機板才能支援 4×4 的應用,例如:W790, XEON CPU

Q5:M.2 SSD 擴充卡需要額外供電嗎?

A5:建議額外供電,確保 M.2 SSD 工作的穩定性。

Q6:M.2 SSD 擴充卡會影響 SSD 速度嗎?

A6:建議考慮大品牌的 M.2 SSD 擴充卡,理由如下:
6-1:根據 PCIe 5.0 規範,點到點的完整通道損耗(Insertion Loss)需小於 36dB,這樣才能維持 PCIe 5.0 的訊號品質。
6-2:造成通道損耗的最大因素是 PCB 材質;而高速訊號的走線方式不佳是造成信號互相干擾(crosstalk)的原因。所以,優先考慮大品牌的擴充卡,才能避免損耗過大或信號彼此干擾導致無法發揮 PCIe Gen 5 SSD 的效能。

Q7:誰需要 M.2 SSD 擴充卡?

A7:主機板 M.2 插槽數量有限或想要組 RAID 提升性能的使用者。

Q8:M.2 SSD 擴充卡適合哪些使用場景?

A8:
8-1:高速資料存取,例如:多線程程式開發影片編輯
8-2:組建高速 RAID 配置,例如:Intel VROCAMD RAIDXpert2Storage Space
8-3:高效能工作站,例如:個人雲端部落格網站虛擬機

主動式散熱的 M.2 SSD 擴充卡才能發揮 PCIe Gen 5 SSD 的效能

根據上述的測試結果來作結論,基本上可以得到兩個重點:
不論循序或隨機讀取,在高負載情況下,採用主動式散熱的 M.2 SSD 擴充卡能獲得較好的結果
不論循序或隨機寫入,雖然在單執行緒的前提下,兩者效能沒有明顯差距;但是在多執行緒下,主動式散熱具備有效降低溫度的能力,使 SSD 維持更高的持續寫入效能

ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 Card

特點:

向下相容 PCIe 4.0 SSD
主動式散熱,發揮 PCIe 5.0 SSD 效能

250126 15 ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 box 400h
ASUS Hyper M.2 x16 Gen5 Card